SK하이닉스 HBM 기술, 경쟁사 제품 대비 60% 더 튼튼

SK하이닉스의 HBM 흠집 실험 결과물

서울경제에 따르면 SK하이닉스가 자사의 고대역폭메모리(HBM) 제조 기술에 대한 자신감을 드러냈다. 회사는 자사 독자 기술로 만든 HBM이 경쟁사 제품보다 훨씬 튼튼하게 만들어졌기 때문에 차세대 반도체 패키징에서도 리더십을 지킬 수 있다고 강조했습니다.

SK하이닉스는 지난달 28일 미국 덴버에서 개최된 'ECTC 2024' 학회에서 이러한 내용을 발표했습니다. 회사 측은 “회사의 독자 제조 기술인 매스리플로-몰디드언더필(MR-MUF)로 만든 HBM이 열압착-비전도성절연필름(TC-NCF)로 만든 제품보다 60%나 튼튼하다”고 주장했습니다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아서 만든 칩으로, SK하이닉스는 이번 논문을 위해 뾰족한 도구로 HBM의 맨 윗부분에 장착된 D램을 찔러서 흠집을 내는 실험을 진행했습니다. 그 결과, 자사 칩이 MR-MUF로 만든 HBM보다 흠집 수가 적었다는 것을 밝혔습니다. 이는 이종결합 패키징 공정을 할 때 외부의 물리적인 충격에도 영향을 받지 않아 수율이 높아질 수 있다는 것을 의미합니다.

업계에서는 이 논문을 SK하이닉스가 삼성전자, 마이크론 테크놀로지보다 더 뛰어난 HBM 제조 기술을 가지고 있다는 것을 강조하기 위한 결과물로 해석합니다. SK하이닉스는 현재 AI 반도체 분야에서 각광 받는 HBM 시장에서 1위를 달리고 있으며, 이러한 혁신적인 기술력은 최대 HBM 고객사인 엔비디아와 TSMC에게 큰 매력으로 다가갈 것으로 예상됩니다.

뿐만 아니라, SK하이닉스는 ECTC에서 차세대 패키징 기술로 점찍은 ‘수직 팬아웃(VFO)’ 개발 현황도 발표했습니다. 이 기술은 반도체 기판 없이도 연산장치 위에 4개의 LPDDR 메모리를 수직으로 쌓는 팬아웃 웨이퍼레벨패키지(FOWLP)를 뜻합니다. 이러한 기술 혁신은 SK하이닉스가 미래 반도체 시장에서 더욱 강력한 경쟁력을 확보할 것으로 기대됩니다.